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DIMM（双列直插式内存模块）是一个模块，在一个小电路板上包含一个或几个随机存取存储器（RAM）芯片，其引脚将其连接到计算机主板。

DIMM（双列直插式内存模块）是双 SIMM（单列直插式内存模块）。与 SIMM 一样，DIMM 是一个模块，在一个小电路板上包含一个或几个随机存取存储器（RAM）芯片，其引脚将其连接到计算机主板。

SIMM 通常具有 32 个数据位（36 位计数奇偶校验位）到计算机的路径，该路径需要 72 针连接器。对于与计算机具有 64 位数据位连接的同步动态 RAM（SDRAM）芯片，SIMM 必须以串联方式安装，因为每个芯片都支持 32 位路径。可以使用单个 DIMM 代替。最初，DIMM 具有 168 针连接器以支持 64 位数据传输。

随着更快的动态随机存取存储器（DRAM）的发展，DIMM 电路板不断发展。基于双倍数据速率第四代（DDR4）SDRAM 芯片的现代 DIMM 使用 288 针连接器连接到计算机主板，以提高数据吞吐量。随着 RAM 芯片的时钟速度的增加，64 位路径处理的数据量不断增加。

DIMM 的另一个发展是使用直接连接到 DIMM 的散热片或结构。典型的 8 千兆字节（GB）或 16 GB DIMM 中芯片密度的增加以及时钟速度的增加导致了热量产生的增加。由于基于 DDR4 RAM 芯片的 DIMM 可以生产高达 64 GB 的容量，因此情况更糟。

DIMM 上的冷却结构有助于将热量释放到计算机机箱中，远离主板和 CPU。

虽然标准 DIMM 采用大约 5 英寸长的矩形棒形式，但小型双列直插式内存模块（SO-DIMM）大约是 74 英寸长的一半大小。两种类型的 DIMM 最常见的是 2 英寸高，但两者都是以 0.8 英寸高的非常低调（VLP）格式制造的。

SO-DIMM 主要用于便携式计算设备，如笔记本电脑和平板电脑。它与标准 DIMM 的不同之处在于 DDR4 SO-DIMM 具有 260 个引脚，而 DRR4 DIMM 具有 288 个引脚。

标准 DIMM 用于 PC 和服务器。VLP DIMM 的开发旨在满足刀片服务器的空间要求。

将在 DIMM 中使用的下一类内存是 DDR5。2017 年 3 月，微电子标准组织 JEDEC 固态技术协会宣布将在 2018 年发布 DDR5 规格。数据传输速率预计将是 DDR4 的两倍，DDR4 目前最高可达每秒 25 千兆字节（GBps）。JEDEC 还表示 DDR5 将降低 DDR4 的功耗，以获得相同数量的 RAM。

其他类型的内存可能会使 DDR5 在普遍可用后不久就过时了。同时它宣布了 DDR5 的时间表，JEDEC 宣布它将继续研究非易失性 DIMM（NVDIMM）的最新标准，或者用作系统存储器的非易失性存储器，如 SDRAM。

英特尔发布了其 Optane 系列中的第一款产品，这是一种基于相变存储器技术的非易失性存储系统。在任何基于 JEDEC 标准的 NVDIMM 进入市场之前，英特尔的 Optane 可能会被充分采用，可能成为事实上的技术。